国科光芯金杏申请波导芯片制造方法专利解决去除硅二氧化硅层时易损伤铌酸锂薄膜的问题
发布时间:2026-02-10 02:48:18

  国家知识产权局信息显示,国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请一项名为“一种波导芯片的制造方法”的专利,公开号CN121454688A,申请日期为2025年10月。

  专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,公开了一种波导芯片的制造方法。制造方法包括以下步骤:提供铌酸锂晶圆;在铌酸锂晶圆距离表面一定深度处形成离子损伤层;离子损伤层与注入一侧表面之间的部分作为初始铌酸锂薄膜;提供中介结构,包括蓝宝石衬底和中介键合层;将初始铌酸锂薄膜一侧与中介键合层键合;退火剥离铌酸锂晶圆除初始铌酸锂薄膜以外的部分;切割为中介键合小片,中介键合小片上剩余的初始铌酸锂薄膜作为待键合的铌酸锂薄膜;将中介键合小片键合至已形成有波导结构的波导衬底上,铌酸锂薄膜朝向波导衬底,与波导结构形成电光调制结构;激光透射,之后剥离蓝宝石衬底。本申请可解决去除硅/二氧化硅层时易损伤铌酸锂薄膜的问题。

  天眼查资料显示,国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司,成立于2021年,位于北京市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司专利信息54条,此外企业还拥有行政许可2个。

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